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欢迎来到泰克半导体测试平台

半导体材料的突破带来了一场技术革命,引领了尖端新器件的研发。3DFlash存储器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率半导体器件等前所未有的应用推动着半导体产业的发展。

新的应用标准、新的材料性能、新的设计和测试方法、新的生产工艺和新的半导体芯片技术继续对测试设备和技术提出挑战。泰克作为一个专业的测试平台,将从测试的角度出发,归纳为六种测试流程,分析和解决半导体从设计到生产带来的一系列新问题。

半导体测试设计流程

工艺设计/材料评估/建模(研发阶段) 可靠性分析 过程控制监测(PCM/TEG测试) 晶圆验收测试/模具分类(WAT/KGD/参数测试) 封装器件功能测试 失效分析
评估新型器件/材料并确定它们是否能满足新的电路特性 确定设备是否能在预期的应用程序/终端环境的生命周期内使用。这是一个统计测试,所以你需要大量的重复测试,并有足够好的精度 向制造厂商提供反馈,以减少生产过程中的误差 通常在流片厂进行,测试晶圆并证明其符合装运标准(流片厂不做产品功能测试) 分立器件的测试(晶体管/VCSEL/etc),也是生产过程中的最终测试。这是一个利基测试,取决于终端设备的类型 收集和分析数据,以确定设备故障的原因,确定纠正措施

在半导体测试中,您经历过这些吗?

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不同的材料特性,跨度高达几个数量级的测量范围

应用: 宽禁带材料

  • 最高需要上千伏高压源表进行测试
  • 需要用到几十安培的高流源表
  • 同时需要精度高达“fA”和 “μV”
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新的测试方法和新测试要求,需要较高的仪器设备兼容性

应用: 忆阻器单元

  • 原子级的原位表征
  • ps级脉冲擦写及信号捕捉
  • 同时需要高精度的I-V 测试和超高速脉冲测试
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大量的重复试验,每一个微小的误差都会导致巨大误差

应用: 类脑计算

  • 神经元网络节点数越多,测试越复杂
  • 大规模阵列的自动测试
纳米材料及纳米器件测试综述

本文将详解纳米材料各维度的分类和特性,特别深入剖析了纳米材料的电学性能。例举了包括二维纳米材料电阻率测试和霍尔效应测试的具体方法和主要挑战。下载PDF文档了解具体内容


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宽禁带半导体器件SiC & GaN

新型宽禁带半导体器件SiC & GaN因体积小,开关频率快,转换效率高,功耗小,散热性能好等优势,被广泛应用在电源,汽车,5G,IOT 等行业,业内采用动态参数的方法评价在不同应用场景下器件的特性,从而实现系统的设计。观看视频泰克专家为您介绍如何准确评价器件的动态参数。

激光二极管(LDs)和垂直腔体发射激光器(VCSELs)

激光二极管(LDs)和VCSELs(垂直腔表面)发射激光器是光通信、光谱学、三维传感和成像以及许多其他重要应用领域的主要元件。随着对这些应用的需求增长,对基本组件本身的需求也在增长。这一需求强调开发更准确的、更具性价比测试方案。

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