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开关管驱动设计

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开关管驱动设计

对 Si、SiC 和 GaN 器件进行安全、精确的测试

缩短产品上市时间 – 开关管器件的选择和驱动优化

由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体(例如 SiC 和 GaN)现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中。但是,随着效率的提高,传统硅设计在许多市场广阔的应用中保持强大的价值主张。让关键功率器件开关管的选择和在真实产品中驱动电路的设计成为更快上市并尽量减少设备现场故障的关键因素。

开关管动态参数/双脉冲测试解决方案

功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT),这些功率器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值, 被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代半导体SiC和GaN快速发展和应用给电源行业带来颠覆性的变化。如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品中,我们需要了解功率器件的动态特性:

  • 开关管器件在不同温度的特性
  • 开关管短路特性和短路关断
  • 开关管栅极驱动特性
  • 开关管关断时过电压特性
  • 二极管回复特性
  • 开关管损耗测试等
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测试系统图

功率器件静态参数测试解决方案

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测试系统构成图

开发和使用开关管MOSFET、IGBT、二极管及其他大功率器件,需要全面的器件级检定,如击穿电压、通态电流和电容测量,并不断优化开关状态下的电气性能。

泰克吉时利产品提供从实验室科研级别的单台SMU源表到适用于高功率半导体器件检定的完整测试方案再到适用于自动晶片级测试系统的最优性价比设计的一体化完整解决方案。

在其他功率应用中是否面临挑战?