检定宽禁带设备

让您的功率半导体设备更快上市

汽车电气化和射频通信中要求苛刻的应用需要宽禁带半导体技术（例如碳化硅和氮化镓），同时还要继续使用传统硅。与硅相比，碳化硅和氮化镓可提供更高的电压工作频率、更高的温度耐受能力和更低的功率损耗。了解碳化硅和氮化镓的电气性能将有助于为它们在许多新兴电力应用中的使用提供强有力的价值主张。让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备在现场的故障。

了解如何：

进行基本 IV 检定测量
在更宽的功率范围内进行测试
对功率半导体设备进行击穿测试
将仪器连接到探头和测试夹具
安全地进行大功率测试
自动进行 I-V 检定的电源时序

宽禁带半导体的 I-V 检定测量

基本晶体管曲线系列。

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使用 KickStart 软件对 MOSFET 设备进行直流 I-V 检定

I-V 检定

I-V 检定是了解硅、碳化硅和氮化镓基本特性中电流与电压关系的基本方法。使用 SMU 或参数分析仪等仪器和相应的软件，生成 I-V 图形曲线，用于显示流经电子设备或电路的电流与其端子上施加的电压之间的关系。最常见的 I-V 曲线集是曲线族。

在更宽的功率范围内进行测试

检定碳化硅或氮化镓晶片和封装部件级设备的电气性能需要学习新技术，例如使用更大功率的仪器，应对探测难题以及进行测量低电平（例如在存在高击穿电压时测量皮安级的漏电流水平）等。对于宽禁带半导体，源电压高达 3000 V，电流高达 100 A 的情况更加常见。同样重要的是优化测试系统，以减少更改“开”状态、“关”状态和电容测量设置所需的时间。

典型“开态”测量设置。

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解决在片功率半导体设备测试中的连接挑战

测试碳化硅设备的高电压。

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高压半导体器件的击穿和漏电流测量

使用 4200A-SCS 参数分析仪测量 MOSFET 栅极电荷

对功率半导体设备进行击穿测试

设备的“关”状态击穿电压决定了可以施加于设备的最大电压。电源管理产品设计人员关注的主要耐受电压是 MOSFET 漏极和源极之间或 IGBT 的集电极和发射极之间的击穿电压。MOSFET可以短接栅极或使其强制进入“硬”关状态，例如向 n 型设备施加负电压或向 p 型设备施加正电压。这是一项非常简单的测试，可以使用一个或两个源测量单元 (SMU) 仪器执行。

将仪器连接到探头和测试夹具

将高功率仪器连接到探针台和测试夹具可能是一项复杂的任务。连接不当通常会导致测量错误。8020 大功率接口面板在吉时利 SMU 和各种半导体探头测试台或定制测试夹具之间提供了高度准确、灵活且易于使用的接口。接口面板有六条测量路径，可进行 3 kV、200 V 和 100 A 的测量。您可以将其中五条路径配置为各种输出连接器类型，以匹配您的探头测试台。您可以使用可选的偏移三通装置配置四条路径。这可以在被测设备的最多四个引脚上进行高压 C-V 测量。

Keithley 8020 High Power Interface Panel

吉时利 8020 大功率接口面板。

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8020 大功率接口面板用户手册

Keithley 8010 High Power Device Test Fixture

8010 大功率设备测试夹具适合测试高达 3 kV 或 100 A 的大功率设备，并能安全、轻松地连接。

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了解如何在大功率、高压 IGBT 设备上执行简单击穿测试

执行大功率测试时，安全至关重要

在对宽禁带半导体进行大功率测试时，应始终将安全放在首位。为实验室设计安全合规的测试夹具并非易事。8010 大功率设备测试夹具为测试高达 3000 V 和 100 A 的各种封装设备类型提供了安全、低噪音、完整的环境。可更换的插座模块测试板支持多种封装类型，包括用户提供的插座类型。

自动进行 I-V 检定的电源时序

使用吉时利的自动化检定套件 (ACS) 软件，省去对测试进行编程的麻烦。ACS 是灵活的交互式软件测试环境，用于设备检定、参数化测试、可靠性测试以及简单的功能测试。ACS 支持各种吉时利仪器和系统、硬件配置和测试设置。利用 ACS，用户可使用自动硬件管理工具配置仪器，并快速执行测试，无需具备编程知识。