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对 Si、SiC 和 GaN 设备进行

安全、精确和快速的 MOSFET 测试

缩短功率半导体设备的上市时间

由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体(例如 SiC 和 GaN)现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中。但是,随着效率的提高,传统硅设计在许多市场广阔的应用中保持强大的价值主张。让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。

大功率包络

手动检定晶片和封装零件级设备的电气性能需要学习新技术、设备和低电平测量的探测基础设施(例如,在存在高击穿电压时测量 pA 泄漏电流)。获得高达 100A 的电流和高达 3000V 的电压并使用 Keithley 功率设备测试解决方案优化“开”状态、“关”状态和电容测量间通常复杂且耗时的设置变化。

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典型“开”状态测量设置。

安全地设置测试

8010 大功率设备测试夹具实现安全、轻松连接,以便测试高达 3 kV 或 100 A 的大功率设备。

您也需要安全设置高压测试并迅速获得结果。手动进行设计需要具有编程专业知识以及设计和创建满足安全要求的系统的能力。您无需自己动手。使用 8010 型大功率设备测试夹具即可安全、轻松连接,以便测试高达 3000V 或 100 A 的封装零件。进行常见 I-V 测试轻松且快速,无需使用 ACS-BASIC 进行编程。

设备检定加快 2 倍,缩短上市时间

对于需要较小功率包络的设备,例如传统 Si 和 GaN 设备,使用可以自动完成高达 200V 和 1A 的所有检定测试的 4200A 参数分析仪来快速获得结果,以便满足上市时间要求。

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4200A-SCS 参数分析仪。

避免昂贵的过量设计

浮动差分测量(例如,高边 Vgs)非常困难或难以实现,因为频率高(快速开、关)以及示波器探头在高带宽下的共模抑制不够而导致共模电压高(例如 Vds)。共模抑制差导致测量受到共模错误而非实际差分信号的控制。泰克提供隔离探头 (ISOVu) 的唯一解决方案不削弱满足 GaN 和 SiC 设备的工作要求的频率,供您准确进行差分测量。这样,您可以准确计算并证明导通损耗、停滞时间损耗和开关损耗。此外,如果您没有使用集成门电路驱动器,通过进行浮动差分测量的功能,您可以准确测量和控制开、关设备时的停止时间。您现在也可以避免过度估计在硬开时产生的瞬态电压 (dv/dt) 和电流导致的功率转换器的高频辐射。

此外,还需注意在较高开关频率下对探头电容的影响。探头电容过高将导致上升沿在测量中变平,从而导致缺少重要高频开关特性。另外,将探头加入极灵敏的浮动门电路信号中可能导致电容充电产生的瞬态信号损坏设备。ISOVu 探头的低电容也尽量减少门电路上的探头电容问题和瞬态信号损坏设备的风险。

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凭借 IsoVu 探头,可以准确捕获高边门电路电压波形,以便评估和优化开关性能和可靠性而不降低 dV/dt。