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使用 SiC 和 GaN 作为能量转换设计?

设计的产品更好。上市更快。

加快能量转换设计的上市时间

SiC 和 GaN 等市场趋势通过加快开关速度来减少无源(电感和电容)器件尺寸,使得能量转换电路变得更为复杂,因此需要准确的电路时序。您需要解决门限电压和时序的较高灵敏度问题。您也需要更稳健的 PCB 设计来解决较高开关频率导致的 EMI/EMC 问题。

克服高共模电压

浮动差分测量(例如,高边 Vgs)非常困难或难以实现,因为频率高(快速开、关)以及示波器探头在高带宽下的共模抑制不够而导致共模电压高(例如 Vds)。共模抑制差导致测量受到共模错误而非实际差分信号的控制。

泰克提供隔离探头 (ISOVu) 的唯一解决方案不削弱满足 GaN 和 SiC 设备的工作要求的频率,供您准确进行差分测量。这样,您可以准确计算并证明导通损耗、停滞时间损耗和开关损耗。此外,如果您没有使用集成门电路驱动器,通过进行浮动差分测量的功能,您可以准确测量和控制开、关设备时的停止时间。您现在也可以避免过度估计在硬开时产生的瞬态电压 (dv/dt) 和电流导致的功率转换器的高频辐射。

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使用 IsoVu 避免常见测量错误来源。

同时测量多个控制和时序信号

随着开关频率越来越高,在使用控件和功率转换器的时序电路时,您需要同时监测多个信号(例如,高压侧 Vgs、低压侧 Vds、高压侧 Vds、低压侧 Vds、Id、IL 和 Iload、控制信号等)。您还需要在有高压信号 (Vds) 的环境下测量低压信号 (Vgs)。您需要一台示波器具有高通道数和高垂直分辨率。

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时间和控制信号的测量点。

加快自动功率测量

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开关损耗表明 FET 具有功耗。波形使用带彩色编码的标记进行注释,以便表示 Ton、Toff 和总周期的测量区(对应于结果标记中的数值)。结果标记中的控件用于轻松切换周期。

在高频 SiC 和 GaN 设备上进行准确且可重复的开关和导通损耗测量需要分辨率、多次采集平均值和复杂的波形数学算法。您需要自动测量电源质量、谐波、安全作业区和开关损耗。带 5-PWR 和探测解决方案的 5 系列 MSO 示波器提供自动测量功能与故障排除功能。

通过严格的EMI认证测试

能效、备用电源、谐波和 EMI 的规定和市场要求变得越来越严格。为了在日后通过一致性要求并节省上市时间和成本(如果设计在日后未通过一致性测试),尽早进行预一致性测试变得越来越关键。您需要功率分析仪提供预一致性软件自动、准确地完成能效、谐波和备用预一致性。您也需要频谱分析仪提供预一致性软件轻松、准确地完成 EMI 预一致性测试。

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您可以轻松设置价格合理的预一致性测试来揭露潜在问题,以便尽量缩短在比较昂贵的一致性测试设施中测试的时间。