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第三代半导体材料行业背景

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以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用,是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性,不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求,还可以降低50%以上的能量损失,最高可使装备体积减小近75%,在半导体材料领域具有里程碑意义。

随着宽禁带技术的进步,材料工艺与器件工艺的逐步成熟,在一些高端应用领域,正在逐步取代第一代、第二代半导体材料,建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。除了美国、欧洲、日本等高科技企业在技术上的强力推进,国内也有数十家科技企业投入大量资金布局第三代半导体业务。在大规模商用上,较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。

当前整个电源产业正发生着深刻的变革,以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用,也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。

泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展,通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案。基于其性能一枝独秀的光隔离探头以及示波器等产品,泰克为广大电源工程师们提供卓越的完整测试解决方案。

碳化硅的应用及优势

应用领域:
  • 新能源汽车驱动
  • 光伏及风能逆变器
  • PCS双向变流器
  • UPS
  • 服务器电源
  • 航空电源等
  • ......
技术优势:

整体效率:有效提升2-5%

体积:可以缩小25-50%

重量:可以减少20-50%

更好的抗高温高压能力

......

研发过程中的测试难点及泰克提供的解决方案

测试难点

  • 传统测试工具,测试结果会让研发人员困扰,无法判断真实的信号波形是因测试问题导致,还是器件或系统本身的问题。
  • GaN 应用于PD快充,OBC,上管Vgs无法测试,不测试会导致烧板子,炸管,产品有安全隐患。
  • SiC多用于新能源逆变器、轨道交通、电驱动等大功率器件的应用,半桥及全桥电路上管无法准确测量,不测试会导致烧板子,炸管,产品有安全隐 患,会导致牺牲SiC的优异性能来保证产品安全要求。

解决方案

泰克推出第二代ISOVu 光隔离探头

推动第三代半导体发展,为电源行业带来技术革新。

新的Tektronix IsoVu™Generation 2探头提供了无与伦比的带宽、动态范围、共模抑制以及多功能MMCX连接器的组合,为上管Vgs测量设置了新的标准,设计者终于能看到以前隐藏的信号特征。

推荐搭配MSO5系列示波器

  • 1 GHz 光隔离探头
  • 更小的尺寸提升了DUT连接的便携性
  • 行业领先的的CMRR特性
  • 完全光隔离技术

立即申请试用光隔离探头

方案优势

应对SiC高频挑战:

提供高达1GHz带宽测试能力,相比较传统的测试系统性能提升5倍。

应对更高精度挑战:

高精度测试系统,可以准确测试Vgs、Vds 的开关波形上升沿及下降沿细节,比8Bit系统分辨率提升16倍。

应对高共模电压挑战:

高达120dB的共模抑制比TIVP光隔离探头,共模抑制比性能比传统差分探头提升了1000倍。

应对干扰挑战:

光隔离探头将信号和测试的电气隔离,最大程度降低信号端噪声对测试结果的影响,并全程光纤传输信号。

应对信号连接挑战:

采用MMCX及专用方形接口方式,最大程度降低线缆长度引起的震荡,并降低环境噪声引入。

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