针对功率半导体(SiC、GaN)的自动参数化测试,包括宽带隙

全自动 HV 晶片级测试

提高吞吐量并降低测试成本

测试成本更低、吞吐量更高

对于 WLR、PCM 和芯片分选使用的传统测试系统,其测量动态范围或分辨率不符合新效率要求(电压更高、漏电更低、导通电阻更低),或者需要耗时的手动配置来切换低压和高压测试。为了满足工厂的生产率目标,您可以不再手动切换低压和高压测试的两个单独测试系统。只有 Keithley 可以在接触一次探头的情况下进行高达 3kV 的全自动晶片级测试。

在不改变测试设置的情况下从高压变成低压。

在不改变设备或测试设置的情况下一次通过所有高压和低压测试。获得全 3kV 溯源功能和 sub-pA 测量分辨率,这样,无需在从高压变成低压击穿测试时重新配置测试设置或使用两个单独测试系统。最大限度减少手动布线和探测所导致的连接问题。确保测量结果优质,减少假失败。安全依靠测试结果来调整制造工艺参数,从而最大化产量。

在此击穿测试中,电压以两种上升速率(每步 20 ms 和 100 ms)最高升至 1800 V。高上升速率(长延迟时间)将测得电流从 100 pA 升至 1 nA。在较高上升速率下,电流的大部分为位移电流 (~ 1 nA)。

在不重新手动配置的情况下测量电容

自动完成所有电容测试,包括复杂的 3 终端测量。完全自动完成 2 终端或 3 终端晶体管电容测量来快速评估开关特性(例如速度和能量)并使用 Keithley 的高压开关矩阵充电。

在不手动配置测试引脚的情况下
进行高达 3kV 的晶体管电容测量,如 Ciss、Coss 和 Crss

快速自动化

不同电流级别连接力测量的灵敏度与典型执行时间。

使用 Keithley 的测试脚本处理技术 (TSP) 和虚拟背板 (TSP-Link),可以实现系统所有元件的高速触发、时序和同步,从而最大程度缩短测试时间、最大程度提高测试吞吐量和降低测试成本。

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