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能效

在实验室和晶圆测试环境中测试 Si、SiC 和 GaN MOSFET,确保安全、精准和快速。了解在设计中采用 SiC 和 GaN 导致的测试挑战以及如何解决它们的更多信息。了解如何最大程度降低最终产品的功耗和最大程度延长电池寿命。缩短设计的上市时间。

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功率设备检定

  • 对 Si、SiC 和 GaN 设备进行安全、精确和快速的 MOSFET 测试
  • 大功率包络
  • 安全地设置测试
  • 设备检定加快 2 倍,缩短上市时间
  • 避免昂贵的过量设计
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自动参数化测试

  • 全自动 HV 晶片级测试
  • 在不改变测试设置的情况下从高压变成低压
  • 在不重新手动配置的情况下测量电容 快速自动化
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SiC and GaN Power Conversion

  • 攻克高共模电压
  • 同时测量多个控制和时序信号
  • 加快自动功率测量
  • 不满足一致性要求
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最大限度延长 IoT 设备的电池寿命

  • 确定负载电流曲线
  • 模拟任意电池类型
  • 模拟任何电池类型

控制回路分析

  • 基于示波器的响应测量设置
  • 支持控制回路测量的探头特性
  • 用波特图测量稳定性裕度
  • 控制回路分析系统

电源测量和分析

  • 开关损耗测量与分析
  • 电路内电感器和变压器测量
  • GaN 和 SiC 开关器件测量
  • 安全作业区 (SOA)
  • 电源抑制比
  • 控制回路响应

分析 PDN 上的电源完整性

  • 在不阻断直流电的情况下测量高频纹波
  • 处理 1 V 至 48 V 及以上的电源
  • 最小化测量系统噪声成分
  • PDN 阻抗测量
  • 利用同步频谱和波形进行噪声搜索
  • 自动电源轨测量

Measurements on 3-Phase Variable Frequency Drives

  • Perform stable measurements on PWM 3-phase motor drives
  • Oscilloscope-based phasor diagrams
  • Measure system efficiency
  • DC bus measurements
  • Support for 2V2I, 3V3I star and delta configuration, as well as DC-in/3-phase out.

能效趋势

我们的工程师就能效为何成为比以前更关键的设计考虑因素分享自己的观点。

“所以,今年,通过碳化硅,我们看到存在许多商用产品的巨大转折点。”

Pat Hensley,泰克

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